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FET,MOSFET - 单个
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VN0606L-G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
330mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
商品其它信息

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