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FET,MOSFET - 单个
SI8806DB-T2-E1参考图片

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SI8806DB-T2-E1

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
43 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
17nC @ 8V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
±8V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-XFBGA
商品其它信息

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