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FET,MOSFET - 单个

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IPD60R210PFD7SAUMA1

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
CoolMOS™PFD7
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
210 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 240µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1015pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
64W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-344
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息

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