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FET,MOSFET - 单个
NDT01N60T1G参考图片

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NDT01N60T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
8.5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
7.2nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223(TO-261)
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
商品其它信息

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