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FET,MOSFET - 单个
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IRF7521D1PBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
FETKY™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
260pF @ 15V
FET 功能
肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro8™
封装/外壳
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
商品其它信息

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