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FET,MOSFET - 单个

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CPMF-1200-S080B

  • Cree/Wolfspeed
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
Z-FET™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
90.8nC @ 20V
Vgs(最大值)
+25V,-5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1915pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
313mW(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息

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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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