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FET,MOSFET - 阵列
SIZ998DT-T1-GE3参考图片

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SIZ998DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A (Tc), 60A (Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
6.7 毫欧 @ 15A, 10V, 2.8 毫欧 @ 19A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
功率 - 最大值
20.2W, 32.9W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®
商品其它信息

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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
暂无价格
参考库存:42152
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC
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FET,MOSFET - 阵列
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FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
暂无价格
参考库存:42186
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 7A DFN2X2
暂无价格
参考库存:42218
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