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FET,MOSFET - 阵列
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CSD87501LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道(双)共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
10-XFLGA
供应商器件封装
10-Picostar(3.37x1.47)
商品其它信息

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