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FET,MOSFET - 阵列
FW811-TL-E参考图片

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FW811-TL-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
35V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
24 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
660pF @ 20V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息

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