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UGBT、MOSFET - 单
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DGTD65T15H2TF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,15A
功率 - 最大值
48W
开关能量
270µJ(开),86µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
61nC
25°C 时 Td(开/关)值
19ns/128ns
测试条件
400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
150ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装
ITO-220AB
商品其它信息

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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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